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刚走进办公室，总经理陈启明就一脸兴奋地迎了上来。
“马总！
成了！”
“我们的第一款igbt晶片，设计完成了！”
马宇腾心中一动。
他看向陈启明，马上问道。
“具体情况怎么样？”
“马总，您过来看。”
陈启明將他引到自己的电脑前，调出了晶片的设计版图。
密密麻麻的电路结构图，充满了复杂的工业美感。
“我们这款晶片，代號为『雷芯igbt-g1，採用的是第一代的穿通型（pt）技术。”
陈启明指著屏幕上的结构图，快速介绍起来。
“虽然我们有东芝提供的技术资料作为参考，但毕竟是第一次做，团队里的工程师都是边学边干，能把设计完整地跑通，已经非常不容易了。”
他的语气里充满了自豪。
这可是雷霆半导体，也是他陈启明职业生涯中，从零到一设计出的第一款功率晶片。
马宇腾点点头，他对这个结果並不意外，也没有表现出过分的苛刻。
igbt，绝缘柵双极型电晶体。
这个听起来无比拗口的元器件，被誉为电力电子装置的“cpu”
，是能源变换与传输的核心。
现在虽然用处不多，但在未来，小到变频家电，新能源汽车，大到高铁动车、智能电网，都离不开它。
在穿越前，这项技术长期被国外的巨头垄断。
雷霆半导体作为一个新手，能在东芝的技术人员帮助下，用一年多的时间就拿出第一款完整的设计，这个速度，已经堪称奇蹟。
“这款晶片的性能，和现在市场上的主流產品比，差距有多大？”
马宇腾问出了最关键的问题。
陈启明的脸色稍微黯淡了一些。
“差距……还是不小的。”
他坦诚道。
“我们採用的第一代穿通型技术，结构上存在天然的缺陷，导致晶片的开关损耗比较大，时效性能也比较差。”
“而现在市场上，像英飞凌、东芝半导体的主流產品，基本都已经是第二代非穿通型（npt）甚至第三代场截止型（fs）技术了。
我们的『g1，大概只相当於他们五、六年前的水平。”
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